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苦等140年后,一个新公式奠定半导体电学测量新里程碑

近日,一篇刊登于 Nature 期刊的文章向世人展示了一项霍尔效应苦等 140 年的应用。

这篇文章的名字十分简单:“Carrier-resolved photo-Hall effect”,意为“能解析载流子信息的光霍尔效应”。文章中介绍了一种全新的测量方法,能够同时测量导电材料中两种载流子的重要信息,可以为新型的太阳能电池材料和光电材料提供有力的检测手段和指导方向;同时,这一突破可以让我们更加详尽地了解半导体的物理特性,对研发和改进半导体材料有着重大意义。

我们现在的生活中,处处可见的是各式各样的电子产品,电脑、手机甚至很多工厂的生产设备都有电子芯片和电路的身影。

而这些电子产品的核心材料之一就是半导体材料,如何充分理解和利用半导体材料是一个关系电子技术及相关领域发展的重要课题。

然而将近一个半世纪以来,科学家一直被一个问题所困扰,他们无法完全理解半导体器件和先进的半导体材料内部的电荷方面的局限性,而这种局限影响了半导体研究的进一步发展。

最直接的,科学家希望知道半导体材料的导电性能如何,具体来说,需要关注半导体中的载流子种类、密度以及迁移率等参数,这些是体现半导体材料导电性能的关键参数。

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